Тайваньский производитель микросхем TSMC разработал полнофункциональную схему для производства транзисторов с использованием технологии GAAFET, сообщает kratko-news.com.
Это настоящий прорыв в области полупроводников, и впервые в мире TSMC сможет производить микросхемы с использованием новой 2-нанометровой технологии.
По предварительным прогнозам, TSMC начнет пилотное производство по 2-нанометровым стандартам между 2023 и 2024 годами. Этому будет предшествовать переход компании на 3 нанометра — тестовое производство по этой технологии должно начаться в первой половине 2021 года, а массовое производство — во второй половине 2022 года.
Параллельно TSMC разрабатывает 4-нанометровую топологию. Компания планирует запустить производство по этой технологии в 2023 году, передает «Кратко».
Под аббревиатурой GAAFET (полевой транзистор Gate-All-Around) расположен полевой транзистор с горизонтально расположенными каналами и круглым затвором. Эта технология заменит используемый в настоящее время FinFET, в котором полевой транзистор имеет тип ребра с вертикально расположенными каналами.
Одной из характеристик GAAFET является то, что затвор в таких транзисторах окружает канал со всех сторон, тогда как в FinFET он окружает его в трех из четырех, что приводит к увеличению утечки тока. С GAAFET такой проблемы нет.
В апреле 2020 года TSMC объявил, что не будет отказываться от FinFET при переходе на 3 нанометра. Это позволило бы компании осуществить переход с нынешних 7 и 5 нм по более низкой цене. Позднее TSMC решила не придерживаться этого плана, так как именно FinFET мог стать «узким местом» в разработке современных чипов.
