IBM и Samsung Electronics объявили о прорыве в разработке полупроводниковых микросхем. Партнерам удалось создать «вертикально расположенные транзисторы» — микросхемы, в которых некоторые компоненты расположены перпендикулярно друг другу, сообщает kratko-news.com.  Уже на первом этапе разработки такой системе удалось удвоить эффективность микросхем или снизить потребление энергии на 85%. По заявлению IBM, такая технология сможет обойти закон Мура и создать