Стартап-компания Crossbar заявила о разработке собственной версии энергонезависимой памяти RRAM (resistive random-access memory). По утверждению разработчиков, память нового поколения позволит хранить до 1 Тбайт данных в микросхеме площадью 200 мм2.
Из важных достижений Crossbar стоит отметить создание работающего массива RRAM-памяти на коммерческой фабрике, что компания назвала важной вехой в развитии. По сути, это первая фаза на пути к серийному производству. Технология Crossbar предусматривает простую трёхслойную структуру, которая позволяет создавать 3D-чипы ёмкостью несколько терабайт. Из достоинств своей разработки компания также указывает на совместимость с КМОП-технологиями производства.
По утверждению разработчиков, их память в 20 раз выигрывает по производительности энергоэффективности по сравнению с современными микросхемами NAND. При этом габариты чипа компактнее в два раза. По оценкам аналитической компании Webfeet Research, к 2016 году оборот рынка энергонезависимой памяти составит $48,4 млрд.
Источник: 3Dnews.ru
